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多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计
  • 期刊名称:核电子学与探测技术
  • 时间:2010.5.5
  • 页码:589-591
  • 分类:TN4[电子电信—微电子学与固体电子学] TL8[核科学技术—核技术及应用]
  • 作者机构:[1]中国科学院高能物理研究所实验物理中心,北京100049, [2]中国科学院高能物理研究所多学科研究中心,北京100049
  • 相关基金:基金项目:国家自然科学基金资助项目(10905065).
  • 相关项目:多阳极光电倍增管四通道抗辐射读出芯片研制
中文摘要:

多阳极光电倍增管目前应用广泛,其后续的常规PCB放大电路显示出体积大、功耗大、噪声高等缺点,制作专用集成电路ASIC可以解决这些问题。基于此类光电倍增管特性,在0.35μmCMOS工艺上,研制了4通道集成放大成形读出电路,包含前放、增益调整、滤波成形等模块。经过测试,功耗为66roW;增益为62.2mV/pC,输入动态范围13pC,线性度1.5%,信噪比9,指标达到设计要求。

英文摘要:

MaPMTs is widely used , but conventional PCB circuits can not satisfy their demands because of the defects of large volume, high power dissipation and noise. The 4-channel readout ASIC for MaPMT is designed for solving these problems with 0. 35 μm CMOS technology. The circuit is composed of Pre- Amp, gain adjusting, and CR-RC shaper with Pole-zero cancling. The test results show power dissipation is 66 mW;gain 62.2 mV/pC;dynamic range 13 pC, INL=1. 5% ;SNR=9. 1. The performances meet design requires.

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