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基于MOSFET亚微秒固态调制器技术的试验研究
  • 期刊名称:中国科学技术大学学报,37卷,01期,99~103 ,2007。
  • 时间:0
  • 分类:TL503.3[核科学技术—核技术及应用]
  • 作者机构:[1]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥230029
  • 相关基金:国家自然科学基金(10175062,17175100)资助. 致谢 在课题开展中,得到了国家同步辐射实验室诸多同事的支持和帮助,在此表示感谢!
  • 相关项目:同步辐射光源储存环快速固态脉冲调制器技术研究
中文摘要:

报道了以高速MOSFET作开关进行的亚微秒强流刚管调制器技术的相关试验研究.试验中以电容作储能器件,感应叠加方式作为输出,并采用特殊的几何形状屏蔽结构,成功调试出了平顶为70ns、上升与下降沿20ns、重复频率20-24kHz可调变、输出最大脉冲电流40A的小型固态刚管调制器试验装置.

英文摘要:

The test research of solid-state modulator principle employing high-speed MOSFET switcnes and inductive-adder output was presented. Capacitors were used for storing energy as well as shield configuration with special geometrical shapes. A testing set of the small solid-state modulator was completed with 40 A of the maximum current pulse output, 70 nanoseconds of pulse flat-top length and 20 nanoseconds of pulse rise time and 20-24 kHz of the adjustable repetition rate.

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