中文摘要：

探索顶宽为10ns、底宽约50ns、重复频数十千赫兹、脉冲幅值为数百安培的MOSFET固态脉冲调制器关键技术。固态调制技术具有效率高、功率高等优点。为下一代直线对撞机速调管，及感应同步加速器高频加速腔及其他领域应用，国外相关实验室竞相研发固态调制器。据已发表文献看，多数主攻方向为脉宽为数百ns以上IGBT管固态调制器；美国洛斯阿拉莫斯国家实验室，为核武器精密试验需要，开展数十纳秒脉宽的MOSFET固态调制器研究。申请项目前期研究，已对MOSFET的阵列式叠加型固态调制器的研发取得进展。国内三台同步辐射光源，全环填充运行光脉冲间隔不超过5ns。采用直流与脉冲凸轨技术组合，可使得光源满足各种快慢动态光谱的时间分辨光谱试验测量时，同时满足其他用户需求。因此，为适应光源脉冲间隔在线调整需求，及相关快脉冲功率技术应用需求，继续MOSFET和国产铁氧体阵列式感应叠加型快速固态调制器关键技术研究。