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Transport and Capacitance Properties of Charge DensityWave in Few-Layer 2H–TaS2 Devices
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：2014.3
  • 页码：077203-
  • 相关项目：铁磁半导体异质结器件中的基本物理特性研究
作者： L. J. Li|W. J. Lu|Y. P. Sun|王开友|
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铁磁半导体异质结器件中的基本物理特性研究
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期刊信息
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  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
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