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面向片上系统的高性能SDRAM控制器设计
  • ISSN号:1000-3819
  • 期刊名称:《固体电子学研究与进展》
  • 时间:0
  • 分类:TP302[自动化与计算机技术—计算机系统结构;自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
  • 作者机构:[1]东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京210096
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(批准号:60676011)
中文摘要:

在分析了SDRAM存取原理之后,提出并设计了一种面向片上系统的高性能SDRAM控制器。该控制器采用数据写缓存方式降低了数据在存取内存时的等待时间;并引入了两组双通道预取指令缓冲器,每组双通道都用以减少取指令时的等待时间,采用两组的结构是为了增加指令预取的命中率;同时还使用了四路组关联的片上堆栈存储器来降低SDRAM的页失效频率,从而降低了因页失效而需要等待的时钟周期。实验证明,与传统的控制器相比,SDRAM的存取等待时间降低了63%,页失效频率降低了64%,总的指令执行平均时间为原来的40.5%。

英文摘要:

A high performance SDRAM controller orienting to system on chip is designed by analyzing the access of SDRAM. The controller uses the data write buffer to reduce the data access waiting time, and employs the two ways of duo channels instruction pre-fetch buffer to decrease the fetching instruction waiting time and increase the instruction pre-fetch buffer hit rate. Meanwhile, to reduce the waiting time aroused by page miss of SDRAM, a four ways of on chip stack memory is introduced. Compared with traditional controller through experiments, the novel SDRAM controller gets a high reduction up to 63% in access waiting time and 64% in page miss. And the procedure's running time on new controller is 40.5% as on the traditional controller on average.

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期刊信息
  • 《固体电子学研究与进展》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:南京电子器件研究所
  • 主编:杨乃彬
  • 地址:南京中山东路524号(南京160信箱43分箱)
  • 邮编:210016
  • 邮箱:gtdz@chinajournal.net.cn
  • 电话:025-86858161
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3819
  • 国内统一刊号:ISSN:32-1110/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵双效期刊,江苏省第六届优秀期刊,工信部09-10年期刊编辑质量优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:2461