中文摘要：

化学气相沉积法（CVD）制备的六方氮化硼薄膜（h-BN）的清洁转移一直备受关注,h-BN从生长基底向其它目标基底转移过程中会引人PMMA残留物,影响h-BN薄膜的性质和应用.为研究PMMA残留物的去除,首先采用低压化学气相淀积法制备了 h-BN 薄膜并转移至基底表面,然后分别采用丙酮溶解、还原热处理、氧化热处理的方法去除h-BN薄膜转移过程中PMMA残留物.研究结果发现,丙酮溶解和还原热处理都不能有效去除PMMA残留,长时间的氧化热处理可以彻底去除PMMA残留.