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Fe-40Al及Zn-40Al合金中微观缺陷和高动量电子行为的正电子湮没研究
  • 期刊名称：稀有金属材料及工程，(2011) （已接受，在出版中）
  • 时间：0
  • 分类：O474[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]广西大学物理科学与工程技术学院,广西南宁530004
  • 相关基金：国家自然科学基金（10764001）; 广西自然科学基金（桂科回0832003）
  • 相关项目：Fe-Al合金中3d电子行为及超精细相互作用研究
关键词： 半导体Si, 掺硼, 掺碳, 微观缺陷, 正电子湮没
中文摘要：

测量了不同C或B含量经不同烧结温度制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO2、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明,石墨的商谱谱峰最高,SiO2的谱峰次之,B的谱峰最低。随着B,C和O原子序数的增加,与正电子湮没的电子动量增加。含20%的C和含100ppm的B的样品的商谱的谱峰最高;含100ppm的B的样品的谱峰次之;含1ppm的B的样品的谱峰最低。随着烧结温度的升高,含100ppm的B的Si基半导体样品的商谱降低,正电子寿命增长,缺陷开空间和浓度升高。

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