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用Mg离子注入提高p型GaN的空穴浓度
  • ISSN号：1000-7032
  • 期刊名称：《发光学报》
  • 时间：0
  • 分类：TN312.8[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：北京大学物理系介观物理与人工微结构国家重点实验室，北京 100871 北京大学物理系介观物理与人工微结构国家重点实验室，北京 100871 北京大学物理系介观物理与人工微结构国家重点实验室，北京 100871
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(69876002)
作者： 杨志坚, 龙涛, 张国义
关键词： 空穴浓度, p-型, GAN, Mg-注入
中文摘要：

研究了离子注入对金属有机化学气相淀积法生长的Mg掺杂GaN性质的影响.样品在800℃退火1小时后,我们获得了空穴浓度达8.28×1017cm-3的p型GaN.这一结果可以用于GaN基器件的p型层的欧姆接触.

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期刊信息
  • 《发光学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会发光分会 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 主编：申德振
  • 地址：长春市东南湖大路3888号
  • 邮编：130033
  • 邮箱：fgxbt@126.com
  • 电话：0431-86176862
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-7032
  • 国内统一刊号：ISSN：22-1116/O4
  • 邮发代号:12-312
  • 获奖情况:
  • 物理学类核心期刊,2000年获中国科学院优秀期刊二等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7320