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GaN基紫外光传感器及其应用的研究
项目名称:GaN基紫外光传感器及其应用的研究
项目类别:面上项目
批准号:69876002
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:张国义
依托单位:北京大学
批准年度:1998
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
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期刊论文
X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜
GaN基白光LED的研制与特性
MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究
InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱
用Mg离子注入提高p型GaN的空穴浓度
张国义的项目
GaN-基稀磁半导体与偏振光发光二极管的研究
期刊论文 12
专利 1
2008年宽禁带半导体暑期学校
GaN基兰-绿光材料制备及应用中的科学问题
期刊论文 1
GaN-based稀磁半导体材料与自旋电子共振隧穿器件的研究
期刊论文 15
会议论文 1
GaN基光子晶体及其在提高发光器件出光效率中的应用
期刊论文 41
会议论文 6
2005年度韩中新功能半导体联合学术研讨会
中日双边氮化物半导体材料和器件研讨会
MOCVD生长GaN和兰光LED
GaN基半导体异质结构研究
用于制备GaN 单晶衬底材料的MOCVD、HVPE 和LLO 集成化设备的研制
期刊论文 3
2009年亚太地区宽禁带半导体国际会议
GaN单晶衬底及其同质外延的研究
期刊论文 8
专利 4