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Scanning infrared microscopy study of thermal processing induced defects in low resistivity Si wafer
  • ISSN号：0268-1242
  • 期刊名称：Semiconductor Science and Technology
  • 时间：2013.7.7
  • 页码：080513-
  • 相关项目：重掺杂对直拉硅中原生以及热处理诱生缺陷的影响
作者： 张新鹏|马向阳|杨德仁|Jan Vanhellemont|
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