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PBD在稀土配合物与PVK混合体系电致发光中的作用
  • ISSN号:1000-0593
  • 期刊名称:《光谱学与光谱分析》
  • 时间:0
  • 分类:O641.4[理学—物理化学;理学—化学] O482.3[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京100044, [2]河北师范大学化学系,河北石家庄050091
  • 相关基金:国家自然科学基金(90201004),北京市科委基金项目(H030430020410)和河北省自然科学基金项目(203148)资助
中文摘要:

研究了PBD以较低浓度与铽配合物[Tb(m-MBA)3phen]2·2H2O、PVK共掺杂体系的电致发光,制作了两类电致发光器件:ITO/PVK:Tb complex/PBD/LiF/Al,ITO/PVK:Tb complex:PBD/PBD/LiF/Al。在共掺杂的发光层中铽配合物的电致发光来源于两个途径,一个是由PVK到铽配合物的能量传递,另一个是电子和空穴在铽配合物上直接复合发光。改变PBD在发光层中的掺杂比例,制得一系列器件,通过对其光谱和亮度的研究,发现PBD在较低浓度掺杂时器件的稳定性和亮度随掺杂浓度的增加而降低。通过分析认为PBD的加入对给体(PVK)到受体(Tb complex)的能量传递效率影响较小,主要是由于PBD的加入使得电子和空穴在PVK链间的跳跃受到限制,使在由PVK、铽配合物和PBD三者掺杂组成的发光层中,注入的电子和空穴不能有效地在铽配合物上复合,这样就会减少激子在铽配合物上直接复合的概率,而造成器件的亮度和效率降低。

英文摘要:

Electroluminescent (EL) properties of the terbium complex [Tb(m-MBA)3phen]2·2H2O doped PVK system were investigated. Two kinds of devices with the structures of ITO/PVK.. Tb complex/PBD/LiF/Al and ITO/PVK:Tb complex: PBD/PBD/LiF/Al were fabricated. PBD emission appears in the EL spectra of ITO/PVK: Tb complex/PBD/LiF/Al in comparison with ITO/PVK:Tb complex:PBD/PBD/LiF/Al. The reason is that PBD acts as a hole blocking material in the emitting layer (PVK: Tb complex: PBD) and thus the combination of excitons mostly occur within this layer. The energy of terbiumcomplex emission comes from two different ways, namely energy transfer and direct combination of carriers. By altering the doping weight ratio of PBD, a set of devices were fabricated with the configuration of ITO/PVK:Tb complex. PBD/PBD/LiF/Al. Both the efficiency and brightness of these devices decrease with the rising of the PBD doping weight ratios. The efficiency of the carriers trapping may decrease with the rising of PBD doping ratios, for PBD may block the hoping of hole or electron between the PVK chains, causing a decrease in the brightness and efficiency. The PBD doping ratios have little effect on the efficiency of Forester energy transfer based on our synthesis.

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期刊信息
  • 《光谱学与光谱分析》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国光学学会
  • 主编:高松
  • 地址:北京海淀区魏公村学院南路76号
  • 邮编:100081
  • 邮箱:chngpxygpfx@vip.sina.com
  • 电话:010-62181070
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-0593
  • 国内统一刊号:ISSN:11-2200/O4
  • 邮发代号:82-68
  • 获奖情况:
  • 1992年北京出版局编辑质量奖,1996年中国科协优秀科技期刊奖,1997-2000获中国科协择优支持基础性高科技学术期刊奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国生物医学检索系统,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:40642