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快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.1+2[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130
  • 相关基金：国家自然科学基金(批准号:60076001),河北省自然科学基金(批准号:E2005000057)和河北省教育厅(批准号:2004311)资助项目
作者： 孙世龙[1], 刘彩池[1], 郝秋艳[1], 滕晓云[1], 赵丽伟[1], 赵彦桥[1], 王立建[1], 石义情[1]
关键词： 重掺As硅片, 快速热处理, 氧沉淀, 清洁区
中文摘要：

对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754