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Reliability analysis of GaN-based light emitting diodes for solid state illumination
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN31[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band Gap Semiconductor Material and Device, Institute of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China
  • 相关基金：Project supported by the National High Technology Development Program of China （Grant No 2006AA03A108）.
作者： 杨凌[1], 马晓华[1], 冯倩[1], 郝跃[1]
关键词： 电应力, 二极管, 退火作用, 老化现象, GaN based LED, electrical stress, pits, annealing, mechanism of degradation
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： yangling_60@163.com

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
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  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406