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溅射非晶钴硅薄膜的晶化过程及其分析
  • ISSN号:1001-4012
  • 期刊名称:《理化检验:物理分册》
  • 时间:0
  • 分类:TB43[一般工业技术]
  • 作者机构:[1]上海交通大学材料科学与工程学院 高温材料及高温测试教育部重点实验室,上海200030, [2]中国石油天然气管道科学研究院,廊坊065000
  • 相关基金:国家自然科学基金(50131030),上海AM基金(0211)
中文摘要:

利用射频磁控溅射方法制备了具有CoSi2成分的非晶薄膜,对非晶薄膜的晶化过程进行了原位X射线分析。结果显示,溅射态薄膜为非晶态,而自由能一成分曲线说明非晶态合金有较低自由能。在非晶晶化过程中初生相为CoSi相,其形成由有效形成热(EHF)因素和结构因素决定。随加热温度升高,非晶薄膜晶化最终得到晶体CoSi2薄膜。

英文摘要:

Crystallization process of CoSi2 thin films prepared by radio frequency rnagnetron sputtering have been investigated by in situ X-ray diffraction. The results show that the as-deposited Co-Si film is amorphous. The gibbs free energy-composition curve proved that amorphous phase has lower Gibbs free energy. The first formed phase during crystallization is CoSi phase, its formation is determined by EHF (effective heat of formation) and structure factors. As the temperature was elevated, the amorphous thin film finally transformed to crystalline CoSi2.

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期刊信息
  • 《理化检验:物理分册》
  • 主管单位:上海科学院
  • 主办单位:上海材料研究所
  • 主编:李和平
  • 地址:上海市邯郸路99号
  • 邮编:200347
  • 邮箱:pt@mat-test.com
  • 电话:021-65556775-361 021-65547443
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-4012
  • 国内统一刊号:ISSN:31-1338/TB
  • 邮发代号:4-183
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版)
  • 被引量:6057