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Injection modulation of p^＋-n emitter junction in 4H-SiC light triggered thyristor by double-deck thin n-base
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN386[电子电信—物理电子学] TQ320.72[化学工程—合成树脂塑料工业]
  • 作者机构：Department of Electronic Engineering, Xi'an University of Technology, Xi'an 710048, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No. 51677149）.
作者： 王曦, 蒲红斌, 刘青, 陈春兰, 陈治明
关键词： 4H-SIC, 双层薄膜结构, 光控晶闸管, 发射结, 调制, 光触发晶闸管, 光引发, PNP晶体管, silicon carbide, light triggered thyristor, double-deck thin n-base, injection modulation
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： puhongbin@xaut.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 被引量:406