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超高压碳化硅光触发晶闸管关键技术研究
  • 项目名称：超高压碳化硅光触发晶闸管关键技术研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：51677149
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：蒲红斌
  • 依托单位：西安理工大学
  • 批准年度：2016
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 3
  • 0
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期刊论文
S吸附对SiC表面不同重构结构的影响
Injection modulation of p^＋-n emitter junction in 4H-SiC light triggered thyristor by double-deck thin n-base
梯度掺杂对SiCLTT短基区少子输运增强研究
蒲红斌的项目
新型SiC/SiCGe光控功率晶体管及其光电特性研究
期刊论文 10 会议论文 5