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基于神经网络的纳米MOSFET量子更正
  • ISSN号:1000-3819
  • 期刊名称:《固体电子学研究与进展》
  • 时间:0
  • 分类:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]西安交通大学电子与信息工程学院,西安710049, [2]西安交通大学理学院,西安710049
  • 相关基金:国家自然科学基金(批准号:NSFC 60472003)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2005CB321701)资助项目
中文摘要:

提出了基于Levenberg-Marquardt BP神经网络的纳米MOSFET量子更正模型,并对拥有不同隐层、不同隐层神经元数的网络的训练精度和速度进行了研究对比。结果表明,包含2个隐层的网络可以获得高的训练速度和精度。该模型可用于快速预测纳米MOSFET Si层各点载流子量子密度,并对其电容及漏电流进行量子更正,其结果与Schroedinger-Poisson方程的吻合度很高。

英文摘要:

Backpropagation neural networks using Levenberg-Marquardt algorithm are applied to make quantum correction to nanoscale MOSFETs and the efficiency and accuracy of the neural networks with different hidden layers and different neurons are studied. The research indicates that high speeds and accuracy can be obtained using neural networks with two hidden layers. The model can be used to predict quantum charge density in Si layers and make quantum correction to capacitance and drain currents of MOSFETs in very good agreement with Schroedinger- Poisson approach.

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期刊信息
  • 《固体电子学研究与进展》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:南京电子器件研究所
  • 主编:杨乃彬
  • 地址:南京中山东路524号(南京160信箱43分箱)
  • 邮编:210016
  • 邮箱:gtdz@chinajournal.net.cn
  • 电话:025-86858161
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3819
  • 国内统一刊号:ISSN:32-1110/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵双效期刊,江苏省第六届优秀期刊,工信部09-10年期刊编辑质量优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:2461