位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
基于区域排除法和方格移动法的矩
  • 期刊名称：数值计算与计算机应用, Vol. 28, No. 1, pp. 71- - 80, 2007.
  • 时间：0
  • 相关项目：现代高速电路模拟算法的理论与方法
作者： 周剑，蒋耀林
同期刊论文项目
现代高速电路模拟算法的理论与方法
期刊论文 43 会议论文 7
同项目期刊论文
A general method for solving s
An adaptive wavelet method for
Neural-network-based charge de
基于二重Arnoldi过程的分段二次
Transient analysis of large sy
Mathematical modeling on RLCG
Singular perturbed solutions o
A note on discrete dynamic ite
Windowing waveform relaxation
抛物方程时间周期问题的有限元多格子动力学迭代
A periodic wavelet method for
酉对称矩阵的满秩分解及其算法
Dual material gate SOI MOSFET
Steady - state methods of diff
Subthreshold current model of
Steady-states of nonlinear osc
具有量子修正功能的三维蒙特卡罗
Analytical modeling of dural m
非对称Halo的异质栅SOI MOSFET阈
基于神经网络的纳米MOSFET量子更
Neural Network for the quantum
酉对称矩阵的QR分解及其算法
Boundary value problems of sin
行（或列）对称矩阵的满秩分解及
全耗尽异质单halo SOI MOSFET二
基于遗传算法的亚100nm SOI MOSF
Applications of the maxwellian
基于神经网络的纳米MOSFET反型层
非线性微分动力系统的周期波形松
Trigonometric Hermite wavelet
Schwarz waveform relaxation me
抛物方程时间周期问题的有限元多
Waveform relaxation methods of
Computing periodic solutions o
Runge-Kutta methods of dynamic
求解随机微分方程Heun法的稳定性
异质栅非对称Halo SOI MOSFET
基于神经网络的纳米MOSFET载流子密度量子更正
基于神经网络的纳米MOSFET量子更正
行(或列)对称矩阵的满秩分解及其算法
Subthreshold current model of fully depleted dual material gate SOI MOSFET
n维变时滞Lotka—Volterra系统周期正解的存在性