中文摘要：

用于铁电随机存储器（FeRAMs）的铁电薄膜，要求与现有的半导体工艺兼容、大剩余极化（2Pr）和优良的抗疲劳性能等。层状钙钛矿结构铁电材料（bismuth layer-structured ferroelectrics BLSFs），由于其较好的抗疲劳性能，成为目前铁电存储器应用研究的主要材料。其化学通式为（Bi2O2）^2＋（Am-1BmO3m＋1）^2-，其中A一般为12配位的1、2、3价离子，B为6配位的3、4、5价离子，m为类钙钛矿层中氧八面体BO6的个数，其中类钙钛矿层与Bi2O2层交替排列。在铋系层状钙钛矿铁电体材料中，SrBi2Ta2O9具有较好的抗疲劳性能，但其剩余极化较低，沉积温度较高；Bi4Ti3O12具有较大的剩余极化强度和较低的沉积温度，但其抗疲劳性能较差。SrBi4Ti4O15（SBTi）也是典型的铋层钙钛矿结构铁电材料，Irie等研究发现，SBTi单晶在60kV／cm的电场下，沿a（b）方向的剩余极化（2Pr）达到58μC·cm^-2。Zhang等用脉冲激光溅射法制备了SBTi铁电薄膜，发现其具有较好的搞疲劳性能（经10^11次极化反转2Pr几乎无变化），但不足之处是剩余极化与单晶相比大大降低。