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采用FAPAS法制备掺杂Y的Mg2Si及其热电性能
  • ISSN号:1673-2812
  • 期刊名称:《材料科学与工程学报》
  • 时间:0
  • 分类:O482.6[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]太原理工大学材料科学与工程学院,山西太原030024, [2]太原理工大学物理系,山西太原030024
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(50671070); 山西省归国留学基金资助项目(200826)
中文摘要:

本文通过电场激活压力辅助法(FAPAS)制备了Mg2Si和掺杂稀土元素Y的Mg2Si基热电材料,并对不同掺杂量下的试样进行物相分析及热电性能的比较。用该方法制备的两种试样均具有组织均匀,晶粒细小的结构。Y掺杂试样的电性能得到明显改善,在288-580K温度范围内,掺杂2000ppmY试样的seebeck系数随着温度的升高而增大,其绝对值大于未掺杂试样的seebeck系数。在438K时,其电导率是未掺杂试样电导率的1.67倍。此外,Y掺杂试样的热导率也明显降低了。因此,掺杂试样的热电综合性能得到了提高,其ZT值在408K达到未掺杂试样的2.23倍。

英文摘要:

Mg2Si and Y-doped Mg2Si were prepared by the field-activated and pressure assisted synthesis(FAPAS)process from elemental powders.The products have uniform and relatively fine-grained microstructure which can ensure good thermal and electrical performances.The Seebeck coefficient of Y-doped Mg2Si(2000ppmY-doped sample)increases in the temperature range of 288-580K and is higher than that of non-doped Mg2Si.And the electric conductivity was enhanced as well,which reached up to 1.67 times of non-doped Mg2Si at 438K.the figure of merit-ZT was improved obviously,which reached up to 2.23 times of non-doped Mg2Si at about 408K.

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期刊信息
  • 《材料科学与工程学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:国家教育部
  • 主办单位:浙江大学
  • 主编:叶志镇
  • 地址:浙江杭州浙大路38号浙江大学材料系
  • 邮编:310027
  • 邮箱:jmse@ema.zju.edu.cn
  • 电话:0571-87951403
  • 国际标准刊号:ISSN:1673-2812
  • 国内统一刊号:ISSN:33-1307/T
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版)
  • 被引量:9446