位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
双声子共振有源区GaAs/AlGaAs量子级联激光器
  • 期刊名称:半导体技术
  • 时间:0
  • 页码:59-61
  • 语言:中文
  • 分类:TN248[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
  • 相关基金:国家自然科学基金(60736031);国家“973”基础研究(2006CB604903);国家“863”高技术研究(2007AA03Z446);国家杰出青年科学基金(60525406)
  • 相关项目:室温连续量子级联激光器择性控制与应用
中文摘要:

量子级联激光器的器件性能在很大程度上取决于有源区结构的设计,有源区结构设计的两个关键因素是激光跃迁高能态电子的有效注入和低能态电子的有效抽取。对于后者本文利用四阱耦合结构在GaAs/AlGaAs量子级联激光器有源区形成双声子共振的电子驰豫机制并进一步通过优化粒子数反转条件和波导结构,获得了波长11.3μm(频率26.5THz)的量子级联激光器83K温度下峰值功率超过100mW的激射。此项工作的成功为THz波段量子级联激光器的研究打下了坚实的基础。

同期刊论文项目
期刊论文 34 会议论文 12 专利 5
期刊论文 31 会议论文 4 专利 7
同项目期刊论文