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一种高可靠大容量星载存储器的设计与研究
  • ISSN号:1000-7180
  • 期刊名称:微电子学与计算机
  • 时间:2012
  • 页码:61-63+67
  • 分类:TP202[自动化与计算机技术—控制科学与工程;自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
  • 作者机构:[1]首都师范大学北京市高可靠嵌入式系统工程技术研究中心,北京100048
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(61170009)
  • 相关项目:可动态重构的高可靠嵌入式系统总线研究
中文摘要:

凭借着存储密度大和存储速率高的特点,基于NANDFlash的大容量存储器在星载存储领域得到了广泛的应用,由于NANDFlash本身存在缺陷,基于NANDFlash的大容量存储器在恶劣环境下的可靠性难以保证.提出了通过FPGA设计SRAM对关键数据三模冗余读取和缓冲、NANDFlash阵列热备份和数据的回放校验以及合理的坏块管理等措施,实现了高可靠性的大容量存储器.实验说明该系统不会因为外在偶然因素而造成数据的不完整,而且整个存储系统的成本开销相对于目前的星载存储器也非常低.

英文摘要:

The mass capacity memory based on NAND Flash is widely used in space storage fields recently. However, due to a variety of condition constrain and bad blocks can be produced, so the reliability of mass capacity storage can not be assured especially in severe environment. A new design plan is proposed to realize the high reliability mass capacity memory. The core technology are reasonable bad block management, triplication redundancy reading and writing of key data through SRAM, warm standby of Flash arrays and checking of data playback. The experirrlent result shows that the system data will not be caused to incomplete, and the cost of the whole storage system is lower than the current onboard memory.

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期刊信息
  • 《微电子学与计算机》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国航天科技集团公司
  • 主办单位:中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
  • 主编:李新龙
  • 地址:西安市雁塔区太白南路198号
  • 邮编:710065
  • 邮箱:mc771@163.com
  • 电话:029-82262687
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-7180
  • 国内统一刊号:ISSN:61-1123/TN
  • 邮发代号:52-16
  • 获奖情况:
  • 航天优秀期刊,陕西省优秀期刊一等奖
  • 国内外数据库收录:
  • 荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:17909