位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Effect of carrier recombination mechanisms on the open circuit voltage of n^＋-p GaInAsSb thermophotovoltaic cells
  • ISSN号：1673-1905
  • 期刊名称：《光电子快报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN365[电子电信—物理电子学] F426.61[经济管理—产业经济]
  • 作者机构：State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China
  • 相关基金：This work has been supported by the National Natural Science Foundation of China （No.60676040） and the Fund of State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics.
作者： 彭新村, 郭欣, 张宝林, 李香萍, 赵晓薇, 董鑫, 郑伟, 杜国同
关键词： GAINASSB, 重组机制, 开路电压, 电池, 光电, 表面复合速度, 运营商, 载流子浓度
中文摘要：

E-mail： zbl@jlu.edu.cn

同期刊论文项目
应用于低温热源能量转换的GaInAsSb热光伏器件的材料与器件研究
期刊论文 7 会议论文 2 专利 1
同项目期刊论文
Effect of material parameters on the open-circuit voltage in a GaInAsSb thermophotovoltaic cell
Effect of carrier recombination mechanisms on the open circuit voltage of n+-p GaInAsSb thermophotov
Numerical analysis of the short-circuit current density in GaInAsSb thermophotovoltaic diodes
氢化后ZnO发光性质的变化
LP-MOCVD法制作n-ZnO/p-Si异质结及其电致发光研究
期刊信息
  • 《光电子快报：英文版》
  • 主管单位:
  • 主办单位:天津理工大学
  • 主编：巴恩旭
  • 地址：天津市西青区宾水西道391号
  • 邮编：300384
  • 邮箱：Oelett@yahoo.com.cn
  • 电话：022-23679707 23657134
  • 国际标准刊号：ISSN：1673-1905
  • 国内统一刊号：ISSN：12-1370/TN
  • 邮发代号:6-198
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,英国科学文摘数据库
  • 被引量:147