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HWCVD工艺参数对a-Si∶H薄膜结构及其对单晶硅片钝化效果的影响研究
  • ISSN号：1001-9731
  • 期刊名称：《功能材料》
  • 分类：O484[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]南昌大学光伏研究院,南昌330031, [2]南昌工程学院理学院,南昌330099, [3]贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳550001
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（61306084,61464007）;教育部博士点基金资助项目（20113601120006）;江西省教育厅青年基金资助项目（GJJ13010）;贵州省科学技术基金资助项目[黔科合J字LKS（2013）15号]
作者： 何玉平[1,2], 黄海宾[1], 周浪[1], 宁武涛, 袁吉仁[1], 李丹[3]
关键词： HWCVD, a-Si∶H, 钝化, ε2, FTGIR, SiHn, 微观结构参数R?
中文摘要：

采用HWCVD法双面沉积aGSi∶H 膜钝化n-CzGSi片表面,利用光谱型椭偏测试仪和傅里叶红外光谱仪研究沉积气压、电流和热丝衬底间距对a-Si∶H 薄膜结构及钝化性能的影响.结果表明,（1）薄膜中SiH2键相对SiH 键含量随气压升高逐渐减少,随电流增大先减少后增大;（2）热丝衬底间距4.0cm 相比7.5cm沉积的a-Si∶H 薄膜微观结构中,SiH2键相比SiH 键的比例更高,钝化效果也更好;（3）本文范围内,工艺参数分别为热丝衬底间距4.0cm 时气压1.5Pa,沉积电流21.5A 情况下钝化效果最优,钝化后硅片的表面复合速率为2.9cm/s.

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期刊信息
  • 《功能材料》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:重庆材料研究院
  • 主办单位:重庆材料研究院
  • 主编：黄伯云
  • 地址：重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
  • 邮编：400707
  • 邮箱：gnclwb@126.com
  • 电话：023-68264739
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-9731
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1099/TH
  • 邮发代号:78-6
  • 获奖情况:
  • 2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:30166