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Stress-induced in situ epitaxial lateral overgrowth of high-quality GaN
  • ISSN号:1466-8033
  • 期刊名称:CrystEngComm
  • 时间:2014.6.16
  • 页码:8058-8063
  • 相关项目:表面等离激元增强宽光谱InGaN太阳能电池研究
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