位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Charge Trapping Memory Characteristics of p-Si/Ultrathin Al2O3O/(HfO2)(0.8)(Al2O3)(0.2)/Al2O3/Metal
  • ISSN号:1099-0062
  • 期刊名称:Electrochemical and Solid-State Letters
  • 时间:0
  • 页码:G13-G16
  • 相关项目:多元氧化物高介电系数介质材料在电荷存储器件中的应用研究
同期刊论文项目
同项目期刊论文