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体硅FinFET工艺下电源电压和体偏置对单粒子瞬态脉冲窄化效应的影响
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：中国物理B
  • 时间：0
  • 页码：-
  • 相关项目：纳米级射频/数模混合信号集成电路单粒子瞬态效应软错误的模拟分析方法研究
作者： Jun-TingYu|
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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406