中文摘要：

纳米压印光刻（Nano Imprint Lithography，NIL）是面向45nm以下半导体制造工艺下一代光刻技术的主流之一。基于紫外纳米压印光刻是一种在常温和常压下使用的光刻技术，是非常有希望成为未来光刻技术的主流工业技术。多层纳米压印套印对准技术是基于常温紫外纳米压印设备的核心关键技术，该技术是制约紫外纳米压印光刻技术，广泛应用于半导体制造并促其成为主流光刻技术的瓶颈。将并联机构引入纳米压印装备的研制之中，进一步提升纳米压印设备中掩模台和工件台之间的对准精度和定位精度。