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Influence of the active layer thickness on the electrical properties of ZnO thin film transistors fa
  • ISSN号:0022-3697
  • 期刊名称:Journal of Physics and Chemistry of Solids
  • 时间:0
  • 页码:1393-1396
  • 相关项目:有机/ZnMgO复合薄膜结构新型紫外探测器的研究
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