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Low temperature electrical transport properties of F-doped SnO<sub>2</sub> films
  • ISSN号：0038-1098
  • 期刊名称：Solid State Communications
  • 时间：2013.1.4
  • 页码：49-53
  • 相关项目：InGaAs及HgCdTe二维系统中的自旋－轨道耦合效应
作者： X. H. Zhang|X. N. Li|J. Wu|Y. F. Liu|X. F. Wang|Y. W. Chen|B. Ni|N. Dai|J. H. Chu|
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InGaAs及HgCdTe二维系统中的自旋－轨道耦合效应
期刊论文 11
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