欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Charge storage characteristics in metal-oxide-semiconductor memory structure based on gradual Ge1?xS
时间:0
相关项目:高性能锗/硅纳米结构及量子点光探测器研究
同期刊论文项目
高性能锗/硅纳米结构及量子点光探测器研究
期刊论文 9
会议论文 3
同项目期刊论文
掺Er HfO2薄膜材料的光致发光性质
纳米线阵列横向输运的热电特性研究
基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性
非挥发浮栅存储器用 PtAu纳米颗粒阵列的制备
Self-assembly of polyaniline: Mechanism study
High-energy optical conductivity of graphene determined by reflection contrast spectroscopy
掺铒Si/Al2O3多层结构中结晶形态对1.54μm发光的影响
微晶硅薄膜的等离子增强化学气相沉积生长特征