位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
LP-MOCVD两步生长法生长InAs0.9S
  • 期刊名称：发光学报 Vol.28 No.2 59-63 (2007)
  • 时间：0
  • 相关项目：非致冷InAsSb中红外探测器材料的研究
作者： 谢建春，缪国庆，金亿鑫，张铁民
同期刊论文项目
非致冷InAsSb中红外探测器材料的研究
期刊论文 8 会议论文 3
同项目期刊论文
缓冲层InxGa1-xAs组分对In0.82Ga
Effect of In content of the bu
非致冷In0.53Ga0.47As/InP红外探
俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响
缓冲层InxGa1-xAs组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响
LP-MOCVD两步生长法制备的InAs0．9Sb0.1／GaAs
生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌和结晶质量的影响