欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Effect of In content of the bu
时间:0
相关项目:非致冷InAsSb中红外探测器材料的研究
作者:
Tiemin Zhang, Guoqing Miao,Yix
同期刊论文项目
非致冷InAsSb中红外探测器材料的研究
期刊论文 8
会议论文 3
同项目期刊论文
缓冲层InxGa1-xAs组分对In0.82Ga
LP-MOCVD两步生长法生长InAs0.9S
非致冷In0.53Ga0.47As/InP红外探
俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响
缓冲层InxGa1-xAs组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响
LP-MOCVD两步生长法制备的InAs0.9Sb0.1/GaAs
生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌和结晶质量的影响