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黄铜矿结构CuInS2陶瓷和薄膜的制备及性能研究
  • ISSN号：1000-2375
  • 期刊名称：湖北大学学报(自然科学版)
  • 时间：0
  • 页码：89-92
  • 分类：TM23[电气工程—电工理论与新技术;一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构：[1]功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室湖北大学,湖北武汉430062, [2]湖北大学材料科学与工程学院,湖北武汉430062
  • 相关基金：国家自然科学基金（50972041,61274010,11175062）、教育部新世纪优秀人才计划（NCET-09-0135）、湖北省自然科学基金（2008CDB249）和武汉市学科带头人计划（200951830550）资助
  • 相关项目：以带隙可调的Zn(O,S)梯度薄膜为缓层的CuInS2薄膜太阳能电池研究
作者： 尚勋忠|方金钢|王志强|黎明锴|周桃生|何云斌|
关键词： CuInS2, 陶瓷, 薄膜, 脉冲激光沉积, CulnS2 , ceramic, thin film, pulsed laser deposition
中文摘要：

采用固相烧结法，在真空管式炉中于960℃下保温2h，制备得到具有纯黄铜矿结构均匀致密的CuInS2陶瓷，所制备的陶瓷呈现P型导电且导电性能良好．此外，以自制的CuInS2陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积法在c轴取向的蓝宝石单晶衬底上制备得到高质量的外延CuInS2薄膜．XRD分析表明薄膜具有良好的沿（112）方向外延取向性，透射光谱测试分析得到薄膜光学带隙为1．4eV．

英文摘要：

Compact pure-chase CulnS2ceramics with chalcopyrite structure were sintered at 960 ℃ for 2 hours in vacuum by conventional solid-state sintering method. All the sintered ceramics show hole conduction with a resistivity around 9 Ωcm. Using the home-made ceramic target, high-quality CuInS2 thin films were deposited on single-crystal c-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition. The CuInS2 film grew epitaxially on c-plane sapphire with a （112） orientation. The optical bandgap of the CuInS2 film is estimated to be 1.4 eV, which well matches to the solar spectrum.

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期刊信息
  • 《湖北大学学报：自然科学版》
  • 北大核心期刊（2008版）
  • 主管单位:湖北省教育厅
  • 主办单位:湖北大学
  • 主编：王世敏
  • 地址：武汉市武昌区友谊大道368号
  • 邮编：430062
  • 邮箱：hdxbzkb@163.com
  • 电话：027-88663900
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-2375
  • 国内统一刊号：ISSN：42-1212/N
  • 邮发代号:38-45
  • 获奖情况:
  • 本刊现为"中国科技核心期刊"、"湖北省优秀期刊"、"...
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,德国数学文摘,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）
  • 被引量:4765