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Electrical properties of undoped In0.53Ga0.47As grown on InP substrates by molecular beam epitaxy
  • ISSN号：0022-0248
  • 期刊名称：Journal of Crystal Growth
  • 时间：0
  • 页码：291-293
  • 语言：英文
  • 相关项目：InxGa1-xAs (x>=0.53)量子阱中二维电子气的Rashba零磁场自旋分裂研究
作者： Zeng, Y.P.|Zhu, Z.P.|Wang, B.Q.|Cui, L.J.|
同期刊论文项目
InxGa1-xAs (x>=0.53)量子阱中二维电子气的Rashba零磁场自旋分裂研究
期刊论文 14 专利 1
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