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InxGa1-xAs (x>=0.53)量子阱中二维电子气的Rashba零磁场自旋分裂研究
  • 项目名称：InxGa1-xAs (x>=0.53)量子阱中二维电子气的Rashba零磁场自旋分裂研究
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：60606025
  • 申请代码：F040506
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2007-01-01-2009-12-31
  • 项目负责人：崔利杰
  • 负责人职称：副研究员
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2006
中文摘要：

采用分子束外延(MBE)生长技术在GaAs或InP衬底上进行材料制备，通过改变InxGa1-xAs量子阱中的In组分含量x、Si平面掺杂（delta掺杂）浓度、量子阱层的厚度、改变In0.52Al0.48As隔离层的厚度等实验生长条件，来研究如何增强自旋轨道相互作用。采用圆偏振PL谱、圆光电效应（Circular photogalvanic effect，简称CPGE）和Kerr旋转（Kerr rotation）实验及Shubnikov-de Hass (SdH)振荡实验相结合判断材料中是否存在零磁场自旋分裂。通过对磁阻的理论计算并与实验结果进行了对比，证明了零磁场自旋分裂和塞曼（Zeeman）相互竞争是造成磁阻振荡中出现拍频现象的原因。

中文主题词： 自旋电子学;零磁场自旋分裂;Rashba自旋分裂;二维电子气
结论摘要：

英文主题词spintronics;zero-field spin splitting;Rashba spin splitting;two-dimensional electron gases

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 14
  • 0
  • 1
  • 0
  • 0
期刊论文
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专利
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