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Mobility spectrum analysis of ion-etching-induced p-to-n type converted layers in HgCdTe single crys
  • 期刊名称：Proc. of SPIE
  • 时间：0
  • 页码：8419121-8419126
  • 相关项目：小光敏面积的碲镉汞长波红外探测器光电耦合的尺寸效应
作者： qiaohui|
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