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Effects of incident energy and angle on carbon cluster ions implantation on silicon substrate： a molecular dynamics study
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN305.3[电子电信—物理电子学] V211[航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程;航空宇航科学技术]
  • 作者机构：[1]Micro-Nano System Research Center, Key Laboratory of Advanced Transducers and Intelligent Control System, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China, [2]Research Institute of Surface Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China, [3]College of Physics and Optoelectronics, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Nos. 51622507, 61471255, 61474079, 61403273, 51502193, 51205273）, the Natural Science Foundation of Shanxi （Nos. 201601D021057, 201603D421035）, the Youth Foundation Project of Shanxi Province （Nos. 201502 1097）, the Doctoral Fund of MOE of China （No. 20131402110013）, the National High Technology Research and Development Program of China （No. 2015AA042601）, and the Specialized Project in Public Welfare from The Ministry of Water Resources of China （Nos. 1261530110110/.
作者： Ye Wei[1], Shengbo Sang[1], Bing Zhou[2], Xiao Deng[3], Jing Chai[1], Jianlong Ji[1], Yang Ge[1], Yuanliang Huo[1], Wendong Zhang[1]
关键词： 分子动力学方法, 入射能量, 离子注入, 碳团簇, 硅衬底, 数值模型, 器件性能, 计算结果, implantation, low incident energies, irradiation, molecular dynamics
中文摘要：

Corresponding author. Email： sangshengbo@tyut.edu.cn zhoubing@tyut.edu.cn

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754