位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
多热源合成SiC温度场的变化规律研究
  • 期刊名称：硅酸盐通报
  • 时间：2010.10.10
  • 页码：1036-1040
  • 相关项目：多热源体系冶炼SiC反应动力学及其应用
作者： 陈杰|王晓刚|
同期刊论文项目
多热源体系冶炼SiC反应动力学及其应用
期刊论文 16 会议论文 3 专利 3
同项目期刊论文
多热源合成碳化硅温度场的均匀性研究
Preparation of SiC hollow spheres by template method and its performance of purification and regener
表面改性对β-SiC微粉流动性的影响
SiCAl电子封装材料制备工艺研究进展
无限微热源法合成的β-SiC晶须与颗粒的分离
β-SiC微粉的气流分级工艺
底部真空负压浸渗工艺制备β-SiC_p/Al电子封装材料
碳热还原法合成SiC供电参数的研究
碳化硅合成中扩散动力学机制研究与探讨
超微粉体上升层流水力分级实验研究
晶型及化学成分对SiC粉体氧化性能的影响
碳化硅陶瓷热压烧结性能的研究
无压浸渗制备SiCp/Al-7Si-5Mg铝基复合材料的反应过程及热物理性能（英文）
底部真空无压浸渗制备SiCp/Al工艺与性能
注浆成型B_4C/SiC复相陶瓷的工艺及性能研究