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90nm工艺SOC芯片多阈值低静态功耗设计
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:半导体技术
  • 时间:0
  • 页码:15061-15071
  • 语言:中文
  • 分类:TN431.2[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]中国科学院微电子研究所,北京100029
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(60425413)
  • 相关项目:集成电路设计(包括CAD)
中文摘要:

为了降低纳米级芯片设计中功耗主体之一的静态功耗,从产生静态功耗的来源出发,提出了使用多阂值技术降低静态功耗,给出利用多阈值技术的多种实现方法。以COSTARⅡ芯片为实例,利用90nm多阈值单元库进行低静态功耗设计。结果表明,利用多阈值技术设计来降低功耗是可行的,并对各种实现方法进行比较分析,可作为低静态功耗设计的参考。

英文摘要:

For the reduction of static power in chip design with nanometer process, which has become one of the primary components of power, the research work was mainly focused on sources of static power, proposes using muhi-Vt library technology to reduce power and provides several methods to implement it. A COSTAR II low-power design example with 90 nm muhi-Vt library was presented, and the results indicate that it is practical to reduce power by using muhi-Vt library. Besides, these implementation methods are compared and analyzed, which could provide a reference for low static power designs.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
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  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070