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Tungsten Doped Indium Oxide Thin Films Deposited at Room Temperature by Radio Frequency Magnetron Sputtering
  • ISSN号：1005-0302
  • 期刊名称：《材料科学技术学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O484.1[理学—固体物理;理学—物理] TN304.21[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：Department of Physics, Beihang University, Beijing 100191, China
  • 相关基金：This work was financially supported by the National Natttral Science Foundation of China （No. 50902006） and Aviation Science Foundation of China （2012zf51066）.
作者： Jiaojiao Pan Wenwen Wang Dongqi Wu Qiang Fu Ding Ma
关键词： 氧化铟薄膜, 射频磁控溅射, 钨掺杂, 室温, 载流子迁移率, 载流子浓度, 溅射功率, 玻璃基板, In2O3： W thin film, Radio frequency magnetron sputtering, Room temperature, Optical and electrical properties
中文摘要：

Corresponding author. Assoc. Prof., Ph.D.; Tel.： ＋86 10 82316883; Fax： ＋86 10 82315351; E-mail address： 08569@buaa.edu.cn （W. Wang）.

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期刊信息
  • 《材料科学技术学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科协
  • 主办单位:中国金属学会
  • 主编：
  • 地址：中国沈阳文化路72号
  • 邮编：110016
  • 邮箱：
  • 电话：024-83978208
  • 国际标准刊号：ISSN：1005-0302
  • 国内统一刊号：ISSN：21-1315/TG
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国家“双百”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊
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