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Electrical characteristics and optoelectronic properties of metal-semiconductor-metal structure with zinc oxide nanowires across Au electrodes
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 分类：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] O646.54[理学—物理化学;理学—化学]
  • 作者机构：[1]State Key Laboratory of Precision Measurement Technology and Instruments, Department of Precision Instruments and Mechanology, Tsinghua University, Beijing 100084, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No 50575113） and Program for NCET. Acknowledgements The authors want to thank Z. Y. Zhang in Peking University, China for his technical assistance and thank Professor Zhonglin Wang in the Georgia Institute of Technology, USA, for providing samples of nanowires for this work.
作者： 王鼎渠[1], 周兆英[1], 朱荣[1], 叶雄英[1]
关键词： 氧化锌纳米线, 金属-半导体-金属结构, 光电子特性, 金电极, ZnO nanowire, MSM structure, Schottky barrier, optoelectronic property
中文摘要：

E-mail： dqwang99@mails.tsinghua.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
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  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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