从制备方法,结构特征和光电性能等各方面介绍了氢化非晶硅碳合金(a-SiCx:H)薄膜这种重要的半导体材料,对其发展现状及前景进行了综述。并对近年来出现的纳米硅碳(nc-SiCx:H)薄膜的发展状况作了专门评述。