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Strain Affected Electronic Propertiesof Bilayer Tungsten Disulfide (WS2)
  • ISSN号：0021-4922
  • 期刊名称：Japanese Journal of Applied Physics
  • 时间：0
  • 页码：-
  • 相关项目：基于二维纳米材料的半导体器件模拟方法研究
作者： Zheng Xin|Lang Zeng|Yijiao Wang|Kangliang Wei|Gang Du|Xiaoyan Liu|
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