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Raman scattering studies on manganese ion-implanted GaN
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O436.2[机械工程—光学工程;理学—光学;理学—物理] TN305.3[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No 90407014）.Acknowledgments The authors thank Chen Feng-En of Tsinghua University for carrying out the Raman spectra measurements, and also thank Xu Jia-Dong of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences for Mn ion implantation.
作者： 徐大庆, 张义门, 张玉明, 李培咸, 王超
关键词： 拉曼散射, 离子注入, GaN, 锰, 化学气相沉积, 快速热退火, 缺陷模, 氮化镓, diluted magnetic semiconductors, gallium nitride, implantation, Raman spectroscopy
中文摘要：

E-mail： dqxu@mail.xidian.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
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  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 被引量:406