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High mobility AlGaN/GaN heterostructures grown on Si substrates using a large latticemismatch induce
  • ISSN号：0003-6951
  • 期刊名称：Applied Physics Letters
  • 时间：2015.4.9
  • 页码：142106-1-142106-4
  • 相关项目：超薄、晶格匹配InAlN/GaN异质结构电学性质及其调控规律
作者： Fujun Xu|Ning Tang|Xinqiang Wang|Bo Shen|
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