中文摘要：

GaN基半导体由于其大禁带宽度、强击穿电场、高电子漂移速度、耐高温、抗辐照等优异物理、化学性质，在高功率、高频、高温电子器件方面有不可代替的应用，而超薄、晶格匹配InAlN/GaN异质结构（简称Thin-InAlN异质结构）是研制GaN基毫米波，乃至更高频电子器件的主流发展方向。本申请项目针对超薄、晶格匹配这两个主要特点，在实现高质量Thin-InAlN异质结构的金属有机化学气相沉积(MOCVD)的基础上，采用变温Hall测量、变频变温电容-电压谱(C-V)，高温深能级瞬态谱（HT-DLTS）等富有特色的研究方法，系统探索Thin-InAlN异质结构中的自发极化特性、二维电子气(2DEG)输运特性、栅漏电机制、表面局域态及其MOCVD原位钝化等关键问题，为解决基于Thin-InAlN异质结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的短沟道效应、漏电控制和电流崩塌等难题提供科学依据和解决方案。