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ELECTRONIC STRUCTURE OF THE LaNi5-xGax INTERMETALLIC COMPOUNDS
  • ISSN号:1006-7191
  • 期刊名称:《金属学报:英文版》
  • 时间:0
  • 分类:TG11[金属学及工艺—物理冶金;金属学及工艺—金属学]
  • 作者机构:[1]Department of Physics and Electronic Engineering, Xinyang Normal University, Xinyang 464000, China, [2]College of Science, Qingdao Agriculture University, Qingdao 266109, China, [3]Institute of Atomic and Molecular Physics, Sichuan University, Chengdu 610065, China
  • 相关基金:This work was financially supported by the National Natural Science Foundation of China (No.60777012).
中文摘要:

平衡结构和 LaNi5-xGax 的电子结构(x=0, 0.5, 1.0 ) 混合物被所有电子计算调查了。基于完整的几何学优化,状态的密度和 LaNi5-xGax 的电子密度被阴谋并且分析。在 Ni 地点的 Ga 的替换导致 Ni-d 乐队,的进步充满,是清楚的在 Ni 和 Ni 之间的离子的相互作用,与 Ga 戏,在 LaNi5-xGax 的稳定性的一个主导的角色加重。越小向更高的精力区域的 E_F 的移动,混合物将越稳定。E_F 和低精力金属镓附近的 Ni-d-Ga-d 相互作用的增加的贡献结合的乐队显示混合物变得更稳定。结果与试验性的数据相比并且考虑到以前的研究讨论。

英文摘要:

The equilibrium structures and electronic structure of LaNi5-xGax (x=0, 0.5, 1.0) compounds have been investigated by all-electron calculations. Based on the full geometry optimization, the densities of states and electron densities of LaNi5-xGax are plotted and analyzed. It is clear that the substitution of Ga at the Ni site leads to a progressive filling of the Ni-d bands, the ionic interaction between Ni and Ni, with Ga plays a dominant role in the stability of LaNi5-xGax compounds. The smaller the shift of EF toward higher energy region, the more stable the compounds will be. The increased contribution of the Ni-d-Ga-d interactions near EF and the low energy metal-gallium bonding bands indicate that the compounds become more stable. The results are compared with experimental data and discussed in light of previous studies.

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期刊信息
  • 《金属学报:英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科协
  • 主办单位:中国金属学会
  • 主编:
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  • 邮编:110016
  • 邮箱:jsxb@imr.ac.cn
  • 电话:024-23971286
  • 国际标准刊号:ISSN:1006-7191
  • 国内统一刊号:ISSN:21-1361/TG
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