位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Study of Schottky contact in HgCdTe infrared photovoltaic detectors
  • ISSN号：0306-8919
  • 期刊名称：Optical and Quantum Electronics
  • 时间：2013.7
  • 页码：635-640
  • 相关项目：金属-半导体接触特性对碲镉汞光伏探测器性能的影响及其机理研究
作者： Cui, Haoyang|Zeng, Jundong|Tang, Naiyun|Tang, Zhong|
同期刊论文项目
金属-半导体接触特性对碲镉汞光伏探测器性能的影响及其机理研究
期刊论文 26 会议论文 6
同项目期刊论文
基于自适应遗传算法的变电站红外图像模糊增强
电场对碲镉汞光电二极管双光子吸收跃迁的影响(英文)
Optical Limiting Using the Two-Photon Absorption Electrical Modulation Effect in HgCdTe Photodiode
脉冲恢复技术测量有限宽基区HgCdTe光电二极管少子寿命(英文)
紫外成像技术在电力设备局部放电探测中的应用
Analysis of the mechanisms of electron recombination in HgCdTe infrared photodiode
<span style="color:#333333;font-family:Simsun;line-height:19.2000007629395px;background-colo
Measurement of minority carrier lifetime in infrared photovoltaic detectors using parallel circuit m
The simulation and analysis of temperature field distribution of core in dry-type power transformer
基于MIV和BRBP神经网络的电路板红外诊断方法
视场超出目标的红外测温误差修正方法研究
观测距离及视角对红外热辐射检测的影响研究
分布式有源电力滤波系统的研究
基于MEA-LVQ神经网络的GIS特高频局部放电识别研究
脉冲恢复技术测量有限宽基区HgCdTe光电二极管少子寿命
电场对碲镉汞光电二极管双光子吸收跃迁的影响
改进MSRCR的电力设备图像增强算法研究
基于重复原理的无差拍控制单相逆变器