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Mg储氢薄膜的制备及其生长方式研究
  • ISSN号:1002-087X
  • 期刊名称:《电源技术》
  • 时间:0
  • 分类:TM911[电气工程—电力电子与电力传动]
  • 作者机构:[1]上海交通大学材料科学与工程学院上海市镁材料及应用工程技术研究中心,上海200240, [2]上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室,上海200240
  • 相关基金:上海市镁材料及应用工程技术研究中心建设项目(09DZ2251000); 上海市基础研究重点项目(10JC1407700); 科委创新计划项目(10DZ2211000); 教育部博士点新教师基金项目(20100073120007); 上海市自然科学基金项目(11ZR1417600)
中文摘要:

镁基储氢材料是非常具有应用前景的一类储氢材料,具有储氢量大、环境友好、成本低等优点。采用磁控溅射法在单晶Si和非晶玻璃基底上沉积了纳米纯Mg薄膜。通过改变沉积速率,获得了不同生长形态和形貌的镁薄膜。采用X射线衍射光谱法(XRD)和扫描电子显微镜法(SEM)研究了Mg薄膜在不同基片和沉积速率下的生长模式。研究结果表明:改变沉积速率可以影响纯Mg薄膜的择优生长形态和形貌,即功率增加时,薄膜由〈101〉向择优生长转变为〈002〉+〈103〉向择优生长,晶粒尺寸变大,但仍按柱状晶方式生长;基片的类型对择优生长方向影响不大,对生长形貌有一定影响。

英文摘要:

Mg based hydrogen storage materials are promising for industrial applications owing to their high gravimetric hydrogen storage,environment friendly nature and low cost.In the present work,pure Mg films were deposited onto single crystalline Si and glass substrates using magnetron sputtering method.The morphology and growth behaviors of the films were studied by XRD and SEM techniques.Our results show that,Mg films have a columnar type grain growth with a strongly preferred growth direction,changing from 101 orientation to 002+103 orientation when the deposition rate increases.The grain size of the Mg films increases with the increasing deposition rate.The type of substrate has little effect on the preferred growth orientations but influences the growth morphology.

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期刊信息
  • 《电源技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十八研究所
  • 主编:黄永才
  • 地址:天津市西青海泰华科七路6号
  • 邮编:300384
  • 邮箱:cjps@tips.ac.cn
  • 电话:022-23959362
  • 国际标准刊号:ISSN:1002-087X
  • 国内统一刊号:ISSN:12-1126/TM
  • 邮发代号:6-28
  • 获奖情况:
  • 国家期刊提名奖,国家“双效”期刊,连续四届天津市优秀期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:11796